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MRF7S19210HR3 MRF7S19210HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
1
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 7. Single--Carrier W--CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-- 1 0
-- 1 5
12
24
0
60
50
C
40
30
20
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Single--Carrier W--CDMA, 3.84 MHz22
Channel Bandwidth
20
10 100 300
10
-- 3 5
ACPR (dBc)
18
16
14
-- 5
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
Figure 8. Broadband Frequency Response
-- 5
20
1550
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pout
=9dBm
IDQ
= 1400 mA
10
5
1650
GAIN (dB)
15
Gain
1750 1850 1950 2050 2150 2250 2350
IRL
-- 1 0
0
-- 2
-- 4
-- 6
-- 8
IRL (dB)
0
TC
=--30_C
85_
Gps
ηD
-- 3 0_C
25_C
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, f = 1960 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on
CCDF
-- 3 0_C
ACPR
25_C
85_C
25_C
85_C
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